长电科技：两者在低端商场范畴无显着差异均可以运用传统打线设备完成堆叠和打线互联
来源：产品中心 发布时间：2024-03-06 17:01:43原标题：长电科技：两者在低端商场范畴无显着差异，均可以运用传统打线设备完成堆叠和打线互联
证券之星音讯，长电科技(600584)12月01日在投资者联系渠道上答复投资者关怀的问题。
投资者：1）看到企业有布局dram、nand等内存芯片封测，这两种产品所需的封测工艺和设备的差异在哪里？其他专心于某一种产品的封测企业乃至是IC规划企业进入壁垒高吗？2）内存封测和逻辑芯片封测所需的工艺和设备又有什么差异吗？
长电科技董秘：敬重的投资者，您好。两者在低端商场范畴无显着差异，均可以运用传统打线设备完成堆叠和打线互联。在中高端范畴两者设备工艺存在必定的差异，需求用到热压键合等特征设备。一起内存和逻辑芯片封测所需的设备，由于堆叠层数及测验要求不同，存在必定的差异。关于新进入者，在中高端存储封测商场存在很显着的壁垒。感谢您的重视与支撑。
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